Bahasa selektif

  1. English
  2. 繁体中文
  3. Беларусь
  4. Български език
  5. polski
  6. فارسی
  7. Dansk
  8. Deutsch
  9. русский
  10. Français
  11. Pilipino
  12. Suomi
  13. საქართველო
  14. 한국의
  15. Hausa
  16. Nederland
  17. Čeština
  18. Hrvatska
  19. lietuvių
  20. românesc
  21. Melayu
  22. Kongeriket
  23. Português
  24. Svenska
  25. Cрпски
  26. ภาษาไทย
  27. Türk dili
  28. Україна
  29. español
  30. עִבְרִית
  31. Magyarország
  32. Italia
  33. Indonesia
  34. Tiếng Việt
  35. हिंदी
(Klik pada ruang kosong untuk menutup)
RumahProdukProduk Semikonduktor DiskritTransistor - FET, MOSFET - TunggalRQ3E130BNTB

Label dan penandaan tubuh RQ3E130BNTB dapat disediakan setelah pesanan.

RQ3E130BNTB

Sumber mega #: MEGA-RQ3E130BNTB
Pabrikan: LAPIS Technology
Pengemasan: Cut Tape (CT)
Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
Rohs patuh: Memimpin bebas / RoHS Compliant
Datasheet:

Sertifikasi kami

RFQ cepat

Persediaan: 507

Silakan kirim RFQ, kami akan segera menanggapi.
( * adalah wajib)

Kuantitas

Deskripsi Produk

Kami menampung distributor RQ3E130BNTB dengan harga yang sangat kompetitif.Lihatlah RQ3E130BNTB Pirce terbaru, inventaris, dan waktu tunggu sekarang dengan menggunakan formulir RFQ cepat.Komitmen kami terhadap kualitas dan keaslian RQ3E130BNTB tidak tergoyahkan, dan kami telah menerapkan proses inspeksi dan pengiriman kualitas yang ketat untuk memastikan integritas RQ3E130BNTB.Anda juga dapat menemukan lembar data RQ3E130BNTB di sini.

Spesifikasi

Komponen Sirkuit Terintegrasi Standar RQ3E130BNTB

Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Teknologi MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok 8-HSMT (3.2x3)
Seri -
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 13A, 10V
Power Disipasi (Max) 2W (Ta)
Pengemasan Cut Tape (CT)
Paket / Case 8-PowerVDFN
Nama lain RQ3E130BNTBCT
Suhu Operasional 150°C (TJ)
mount Jenis Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Manufacturer Standard Lead Time 40 Weeks
Status Gratis Memimpin / Status RoHS Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS 1900pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
FET Jenis N-Channel
Fitur FET -
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif) 4.5V, 10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss) 30V
Detil Deskripsi N-Channel 30V 13A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C 13A (Ta)

RQ3E130BNTB FAQ

FApakah produk kami berkualitas baik?Apakah ada jaminan kualitas?
QProduk kami melalui skrining yang ketat, untuk memastikan bahwa pengguna membeli produk asli yang terjamin, jika ada masalah kualitas, dapat dikembalikan kapan saja!
FApakah perusahaan MEGA SOURCE dapat diandalkan?
QKami telah didirikan selama lebih dari 20 tahun, fokus pada industri elektronik, dan berusaha untuk memberi pengguna produk IC berkualitas terbaik
FBagaimana dengan layanan purna jual?
QLebih dari 100 tim layanan pelanggan profesional, 7*24 jam untuk menjawab semua jenis pertanyaan
FApakah itu agen?Atau perantara?
QMEGA SOURCE adalah agen sumber, memotong perantara, mengurangi harga produk ke tingkat terbesar dan menguntungkan pelanggan

20

Keahlian industri

100

Pesanan Kualitas diperiksa

2000

Klien

15.000

Gudang In-Stock
MegaSource Co., LTD.